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电子元器件详细资料 » IC[25995] » IPB100N04S4-H2
型号:IPB100N04S4-H2类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.4 毫欧 @ 100A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 70µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs90nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds7180pF @ 25V
功率_最大115W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3-2
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳宇邦高科技有限公司朱小姐0755-82524712 0755-82525400
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市恒凯威科技开发有限公司朱先生086-0755-22207335 0755-22318162
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IPB100N04S4-H2相关型号

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